Технология совмещения и экспонирования фотолитографии при изготовлении ЛИС с изоляцией «Изопланар II»

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 22 Октября 2012 в 14:57, курсовая работа

Описание

Цель и задачи курсовой работы. Более глубоко изучить теоретические основы технологии совмещения и экспонирования фотолитографии при изготовлении ЛИС с изоляцией «Изопланар II». Сравнить метод с аналогичными, проанализировать их достоинства и недостатки. Изучить применяемое в процессе оборудование, его схемы, документацию. Описать процесс в виде технологической карты. Изучить виды и причины брака на данной технологической операции. Применить знания по экономике к изучаемому технологическому процессу.

Работа состоит из  1 файл

Гусев.doc

— 34.50 Кб (Скачать документ)

ТЕМА: Технология совмещения и экспонирования фотолитографии при изготовлении ЛИС с изоляцией «Изопланар II»

 

Введение

 

Электроника прошла несколько  этапов развития, за время которых  сменилось несколько поколений  элементной базы: дискретная электроника  электровакуумных приборов, дискретная электроника полупроводниковых приборов, интегральная электроника микросхем (микроэлектроника), интегральная электроника функциональных микроэлектронных устройств (функциональная микроэлектроника).

Элементная база электроники развивается непрерывно возрастающими темпами. Каждое из приведенных поколений, появившись в определенный момент времени, продолжает совершенствоваться в наиболее оправданных направлениях. Развитие изделий электроники от поколения к поколению идет в направлении их функционального усложнения, повышения надежности и срока службы, уменьшения габаритных размеров, массы, стоимости и потребляемой энергии, упрощения технологии и улучшения параметров электронной аппаратуры.

Становление микроэлектроники как самостоятельной науки стало возможным благодаря  использованию богатого опыта и базы промышленности, выпускающей дискретные полупроводниковые приборы. Однако по мере развития полупроводниковой электроники выяснились серьезные ограничения применения электронных явлений и систем на их основе.  Поэтому  микроэлектроника продолжает продвигаться быстрыми темпами как в направлении   совершенствования полупроводниковой интегральной технологии, так и в направлении использования новых физических явлений.

Разработка любых ИМС представляет собой довольно сложный процесс, требующий решения  разнообразных научно-технических проблем. Вопросы выбора конкретного технологического воплощения ИМС решаются с учетом особенностей разрабатываемой схемы, возможностей и ограничений, присущих различным способам изготовления, а также технико-экономического обоснования целесообразности массового производства.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

    1. Обзор существующих технологических методов (достоинства, недостатки).

 

 

Фотолитография —  процесс формирования маски на поверхности подложки (или основания изделия) элементов приборов микроэлектроники с помощью чувствительных к высокоэнергетическому излучению (ультрафиолетовому свету, электронам, ионам, рентгеновским лучам) покрытий, способных воспроизводить заданное взаимное расположение и конфигурацию этих элементов.

Под совмещением перед  экспонированием понимается точная ориентация фотошаблона относительно пластины, при которой элементы очередного топологического слоя (на фотошаблоне) занимают положение относительно элементов предыдущего слоя (в пластине).

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

2.1. назначение и применение  изделия.

 

Линейные интегральные микросхемы (ИМС)-  В зависимости  от функционального назначения интегральные микросхемы делятся на аналоговые и  цифровые. Аналоговые микросхемы предназначены для преобразования и обработки сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. Частным случаем этих микросхем является микросхема с линейной характеристикой, линейная микросхема.

с каждым днем все шире применяются в таких областях, как телефонная и радиосвязь, медицинская техника, измерение, управление производством, а также в автомобилестроении. Причины их возросшего использования: малые габариты, простота применения, надежность и низкая стоимость. Схемы, на разработку которых еще несколько лет назад требовались недели, можно теперь приобрести в виде ИМС. Это позволяет использовать ИМС как функциональный блок. Несколько внешних компонентов, добавленных к ИМС, завершают его проектирование. Существенно, что анализ и поиск неисправностей намного упрощаются в схеме на основе такого функционального блока по сравнению с ее эквивалентом на дискретных компонентах.

В настоящее время выпускаются  два типа линейных интегральных микросхем: монолитные и гибридные. Первые изготавливают на единой полупроводниковой подложке (обычно это кремний) вместе с некоторыми резисторами и конденсаторами. Гибридные ИМС представляют собой комбинацию дискретных компонентов, пассивных элементов и монолитных ИМС.

 

 

 

 

 

 

 

 

Цели и задачи курсовой работы.

 

Цель  и задачи курсовой работы. Более глубоко изучить  теоретические основы технологии совмещения и экспонирования фотолитографии при изготовлении ЛИС с изоляцией «Изопланар II».  Сравнить метод с аналогичными, проанализировать их достоинства и недостатки. Изучить применяемое в процессе оборудование, его схемы, документацию. Описать процесс в виде технологической карты. Изучить виды и причины брака на данной технологической операции. Применить знания по экономике к изучаемому технологическому процессу.


Информация о работе Технология совмещения и экспонирования фотолитографии при изготовлении ЛИС с изоляцией «Изопланар II»