Транзисторы

Доклад, 03 Марта 2011

Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного тока электрического поля, создаваемого входным сигналом.

Транзисторы

Доклад, 20 Февраля 2013

Полупроводниковый прибор с двумя р-п-переходами получил название транзистор от сокращения английских слов transfer resistor — управляемый резистор. По характеру своей работы он аналогичен трехэлектродной электронной лампе — триоду, поэтому транзистор часто называют полупроводниковом триодом. Применяют транзистор главным образом для усиления электрических сигналов, генерирования электрических колебаний и в качестве бесконтактного ключевого элемента.
Биполярными транзисторами (или просто транзисторами) называют полупроводниковые усилительные приборы с двумя близко расположенными и взаимодействующими между собой n-р-переходами, включенными встречно.

Полевые транзисторы

Реферат, 02 Февраля 2013

Полевой транзистор – это электропреобразовательный прибор, в котором ток, протекающий через канал, управляется электрическим полем, возникающим при приложении напряжения между затвором и истоком, и который предназначен для усиления мощности электромагнитных колебаний.

Три схемы включения транзистора

Контрольная работа, 31 Марта 2012

Цель работы — изучить, как влияют различные способы включения однополярного транзистора и величина сопротивления нагрузки на свойства усилительного каскада. Продолжительность работы — 3,5 часа.

Выбор транзисторов VT1, VT2, VT3, VT4,VT5, VT6

Курсовая работа, 01 Ноября 2012

Целью данной курсовой работы является проектирование преобразователя частоты на основе интегральной микросхемы К174ПС1. Моделирование схемы будем производить в программе MicroCap8, где будем проверять правильность расчетов элементов схемы и строить нужные нам графики (амплитудно-частотную характеристику). В результате работы мы должны получить преобразовательное устройство, основанное на интегральной микросхеме К174ПС1.

Исследование свойств транзисторов

Курсовая работа, 10 Июня 2011

Полупроводниковые приборы ( диоды и транзисторы) благодаря малым габаритам и массе, незначительному потреблению электроэнергии, высокой надёжности и долговечности широко применяются в различной радиоэлектронной аппаратуре.

Основные типы биполярных транзисторов

Курсовая работа, 11 Февраля 2013

Из-за сложности учета влияния факторов окружающей среды, а также разброса параметров элементов схем, результаты расчетов схем имеют большую погрешность. Часто в этом случае требуется изготовление макета электронного устройства для проверки режимов работы активных элементов. Это приводит к значительным затратам времени. Кроме того, затрачиваются дорогостоящие комплектующие изделия и материалы.

Вхідні характеристики транзистора зі спільною базою

Реферат, 26 Марта 2013

Біполярний транзистор — напівпровідниковий елемент електронних схем, із трьома електродами, один з яких служить для керування струмом між двома іншими. Термін «біполярний» підкреслює той факт, що принцип роботи приладу полягає у взаємодії з електричним полем частинок, що мають як позитивний, так і негативний електричний заряд.
Виводи біполярного транзистора називаються емітером, базою і колектором. В залежності від типу носіїв заряду, які використовуються в транзисторі, біполярні транзистори поділяються на транзистори NPN та PNP типу. В транзисторі NPN типу емітер і колектор легуються донорами, а база — акцепторами. В транзисторі PNP типу — навпаки.

Физические принципы работы и технологии полупроводниковых транзисторов

Курсовая работа, 21 Декабря 2012

Полупроводниковые приборы ( диоды и транзисторы) благодаря малым габаритам и массе, незначительному потреблению электроэнергии, высокой надёжности и долговечности широко применяются в различной радиоэлектронной аппаратуре. В настоящее время почти вся бытовая радиоэлектронная техника, включая телевизоры, приёмники, магнитофоны и др., работает на полупроводниковых приборах и микросхемах. Применение полупроводниковых приборов в электронных вычислительных машинах позволило решить проблему достижения высоких эксплуатационных параметров ЭВМ при обеспечении требуемой надёжности.

Расчет усилительного каскада по схеме с общим эмиттером на транзисторе МП 40

Курсовая работа, 08 Февраля 2013

Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Электроника и схемотехника аналоговых устройств», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, в развитии навыков выполнения информационного поиска, пользования справочной литературой, определения параметров эквивалентных схем биполярных и полевых транзисторов, в создании разностороннего представления о конкретных электронных элементах.

Исследование усилительного каскада с общим эмиттером на биполярном транзисторе

Лабораторная работа, 25 Декабря 2011

Цель работы:
1. Закрепление материала о принципах работы усилительных каскадов на биполярных транзисторах.
2. Закрепление материала о методике выбора и обеспечения положения точки покоя усилительного каскада и способах термостабилизации.
3. Освоение различных видов анализа по постоянному току в программе MICROCAP:
• DC Analysis
• Dynamic DC
• Transfer Function
• Sensitivity
4. Освоение режима анализа частотных характеристик на малом сигнале AC Analysis в программе MICROCAP, методики построения амплитудно- и фазочастотных характеристик в линейном, полулогарифмическом и логарифмическом масштабах.
Освоение режима анализа переходных процессов TRANSIENT в программе MICROCAP

Бизнес-план цеха № 49 по производству биполярного транзистора «Завода «Транзистор

Курсовая работа, 27 Ноября 2011

Целью данной курсовой работы является разработка бизнес-плана структурного подразделения НПО «Интеграл» ГП «Завод «Транзистор». Особенностью данного предприятия является то, что большая часть продукции этого завода – основа для других более сложных изделий. Поэтому число потребителей данной продукции невелико. Для этой отрасли характерна высокая наукоемкость производства и высокие темпы научно-технического развития.

Автоматизированый анализ резисторного каскада усиления на биполярных транзисторах

Курсовая работа, 15 Января 2013

В процессе исследований, удалось выяснить характер влияния нагрузки, ООС, разделительного конденсатора на АЧХ каскада усиления и влияния ООС на ФЧХ. Полученные результаты были представлены в виде таблицы.
Для построения каскада усиления с заданной АЧХ, можно воспользоваться одной из ранее полученных характеристик. После, используя результаты табл. 1, а так же основываясь на теоретическом курсе, без труда можно реализовать усилительный каскад, у которого значения АЧХ будет иметь параметры, заданные в условии.