Технічні засоби захисту інформації

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 06 Мая 2012 в 13:38, реферат

Описание

Сучасні ринково-економічні відносини вимагають якісної і надійної продукції, а також швидке та якісне надання послуг. Низька вартість обумовлює конкурентоспроможність товарів та послуг. Реалізувати це не можливо без автоматизації усіх сфер діяльності суспільства.
На даний час в Україні, як і в інших країнах світу, основним є контроль інформації. Майже кожен може прослухати розмову по телефону або підключитись до телефонної системи.

Работа состоит из  1 файл

диплом с рамками без тран.docx

— 822.01 Кб (Скачать документ)

- висока  теплопровідність;

- стійкість  до вологості;

- мала  діелектрична проникність.

Недоліки  склотекстоліту:

- ненормований  ;

- погана  технологічність.

6.3.4. Розрахунок параметрів друкованих провідників.

Розрахуємо  мінімальну ширину провідників

де, І  – максимальний струм  мА;

h –  товщина міді  мм;

J –  щільність струму  А/мм2.

мм

Для другого  класу приймаємо  мм.

Розраховуємо  діаметр отворів.

На друкованій платі наявні отвори діаметром 0,6 та 0,8мм.

- для  резисторів, діодів і мікросхем  мм;

мм

- для  транзисторів та індуктивностей 

мм

Розрахуємо  мінімально допустимий діаметр контактних площин

де    – діаметр отворів;

- необхідна мінімальна товщина  контактної площини для друкованих  плат 2-го класу  мм;

- точність позиціонування  мм.

- для  резисторів, конденсаторів, діодів  і мікросхем  мм:

мм

- для  транзисторів  мм:

мм

Знайдемо  найменше значення ширини провідника у вузькому місці за формулою:

де  мм – мінімальне значення номінальної ширини провідника у вузькому місці для друкованої плати другого класу точності.

- нижня межа граничного відхилення  ширини провідника.

мм

Знайдемо  номінальне значення відстані між сусідніми  елементами у вузькому місці за формулою:

де  мм  – номінальна відстань між провідниками;

- нижня межа граничного відхилення  ширини провідника.

мм

Визнаним  величину ємності між друкованими  провідниками, яка рівна:

де    – ємність, пФ;

- коефіцієнт, величина якого  залежить від ширини провідників  та їх взаємного розташування, ;

- довжина взаємного перекриття  провідників, см.

- діелектрична проникність середовища;

- діелектрична проникність ізоляційної  плати,  .

(пФ)

Визначимо індуктивність взаємозв’язку між  друкованими провідниками

де  - величина взаємоіндукції, нГн;

- довжина провідника, см;

- відстань між провідниками, см.

(нГн)

          Отримана взаємоіндукція рівна 10,8 нГн є незначною, і в даному діапазоні частот при розрахунках нею можна знехтувати. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

7. РОЗРАХУНОК НАДІЙНОСТІ ПРИСТРОЮ ЗАХИСТУ ТЕЛЕФОННОЇ ЛІНІЇ ВІД НЕСАНКЦІОНОВАНОГО ДОСТУПУ 

      Відповідно  до ГОСТ 19472 пристрій захисту телефонної лінії від несанкціонованого  доступу варто розглядати як відновлюваний  і при розрахунку надійності по раптовим відмовам скористуємося показниками  безвідмовності та визначимо наступнi параметри: параметр iнтенсивностi відмов - ; середній час напрацювання на відмову - Т0; ймовірність безвідмовної роботи - Р(t) для часу t=11000; середній час відновлення - Тв. Розрахунок ведемо за методикою, викладеною в [ 1 ].

      При розрахунку показників безвідмовності приймаються наступні припущення:

-  у  системі мають місце тільки  раптові відмови, поступові не  враховуються;

-  система  не містить резервних елементів;

-  відмова  елементів у системі взаємнонезалежна  і кожна з вiдмов приводить до відмови всієї системи (рис.6.2); 

                                                                                      

Рис.6.2. Еквiвалентна схема пристрою.

  • параметри інтенсивності відмов у часі не змінюються.

      Останнє припущення справедливе для періоду  нормальної експлуатації. У цьому  випадку закон розподілу ймовірності  безвідмовної роботи - експоненцiальний.

      Розрахунок  проводиться для наступних умов:

- тиск 725 ± 75 мм. рт. ст.;

- відносна  вологість 93% при 20°С;

- температура  навколишнього середовища + 20°С (верхнє  граничне значення + 60°С).

      Орієнтовний розрахунок кількісних показників безвідмовності блоку приводиться на підставі середніх розрахованих кількісних показників безвідмовності груп елементів, отриманих в результаті аналізу комплектуючих елементів  попередніх розробок. Цей розрахунок був обраний внаслiдок того, що відсутні дані для повного розрахунку кількісних показників, а саме - карт робочих режимів блоку.

      Розрахунок  надiйностi пристрою почнемо з того, що по перелiку елементiв видiлимо n рiвнонадiйних груп. Для кожної групи визначимо номiнальну iнтенсивнiсть вiдмов по таблицi 4.1 [ 1 ], коефiцiєнт навантаження Кн по таблицi 4.6 [ 1 ] (як було припущено вище, хоча, бiльш правильно розраховувати коефiцiєнт навантаження як вiдношення робочого значення вiдповiдного параметра до максимально допустимого його значення для кожного елемента), коефіцієнт режима роботи елементів по таблицi 4.2 [ 1 ].

      Результати розрахунку зведено в таблицю 6.1.

                               Таблиця 6.1.

№ п/п Тип елемента Схемне позначення *10-6,

1/ч

t,

°С

Кн аі Кiлькiсть,N *N*aі*

10-6,1/ч

  Вузол приймання виклика з АТС              
1 Резистор постійний R1 0.5 60 0.2 0,33 1 0.165
2 Резистор постійний R2 0.5 60 0.2 0.33 1 0.165
3 Конденсатор плівковий C1-C2 1 60 0.6 0.8 2 1.6
4 Діод VD1-VD2, VD5 0.5 60 0.6 1 3 1.5
5 Мiкросхема DD-6.1 0.1 60 1 1 1 0.1
6 Стабiлiтрон VD3 0.5 60 0.2 0.92 1 0.46
  Всього             3.99
  Вузол прийому імпульсів коду              
7 Конденсатор плівковий С4 1 60 0.6 0.8 1 0.8
8 Конденсатор плівковий С5 1 60 0.6 0.8 1 0.8
9 Резистор постійний R6 0.5 60 0.2 0.33 1 0.165
10 Резистор постійний R7 0.5 60 0.2 0.33 1 0.165
11 Стабілітрон VD6 0.5 60 0.2 0.92 1 0.46
12 Мiкросхема DD-6.3- DD-6.4 0.1 60 1 1 2 0.2
  Всього              2.59
  Вузол підключення              
13 Резистор постійний R14, R16 0.5 60 0.2 0.33 2 0.33
14 Резистор постійний R16 0.5 60 0.2 0.33 1 0.165
15 Конденсатор плівковий С16 1 60 0.6 0.8 1 0.8
16 Мiкросхема DA1 0.1 60 1 1 1 0.1
17 Мiкросхема DD-4.4 0.1 60 1 1 1 0.1
18 Транзистор VТ2 0.5 60 0.2 0.17 1 0.085
19 Дiод VD24, D25, VD27-VD30 0.5 60 0.6 1 6 3
20 Стабiлiтрон VD26 0.5 60 0.2 0.92 1 0.46
  Всього              5.04
  Джерело живлення              
21 Конденсатор електролiт. С17, C18 0.5 60 0.5 0.9 2 0.9
22 Резистор постійний R21, R22 0.05 60 0.4 0.67 2 0.72
23 Дiод VD31, VD33 0.5 60 0.6 1 2 1
24 Стабiлiтрон VD32, VD34 0.5 60 0.2 0.92 2 0.92
  Всього              3.54
  Вузол

дешифратора

             
25 Резистор постійний R3-R4 0. 5 60 0.2 0.33 2 0.33
26 Резистор постійний R5 0.5 60 0.2 0.33 1 0.165
27 Резистор постійний R8, R10-R12, R17-R18, R21 0. 5 60 0.2 0.33 7 1.155
28 Резистор постійний R9, R13, R19 0.5 60 0.2 0.33 3 0.495
29 Дiод VD7-VD23 0.5 60 0.6 1 17 8.5
30 Конденсатор плівковий С3, С8, С12, С15 1 60 0.6 0.8 4 3.2
31 Конденсатор плівковий С7, С9, С10, С13 1 60 0.6 0.8 4 3.2
32 Конденсатор плівковий С6, С11, С14 1 60 0.6 0.8 3 2.4
33 Мiкросхема DD-1, DD-2, DD-3, 0.1 60 1 1 3 0.3
34 Мiкросхема DD-4.1 - DD-4.3, DD-5.1 - DD-5.4, DD-6.2, 0.1 60 1 1 8 0.8
35 Транзистор VT1 0.5 60 0.2 0.17 1 0.085
36 Стабілітрон VD4 0.5 60 0.2 0.92 1 0.46
37 Пайка з`єднув. - 0.001 60 - - 5000  
38 Пров. з`єдн. - 0.01 60 - - 20 м  
  Всього              21.09
  Всього пристрія             36.25

 

      Інтенсивність відмов системи визначимо по формулі:

                                                        (6.17)

де К1, К2, К3 – поправочні коефіцієнти, враховуючи вплив відповідно механічного навантаження, вологості та висотності. Вибираються  вони по таблицям 4.3, 4.4, 4.5 [ 1 ] і для  даного виробу рівні К1=1, К2=1, К3=1.

1/ч

Середній  час напрацювання на відмову рівний:

                                                                                                            (6.18)

ч

Побудуємо залежність ймовірності безвідмовної роботи від часу (рис.6.3):

                                                                                              (6.19)

Ймовірність безвідмовної роботи для t=11000 годин рівна:

Рис.6.3.

            Отримані результати задовольняють вимогам технічного завдання, пред'явленого до надійності виробу. 
 
 

Висновки. 

      В результаті даного дипломного проектування була розроблена функціональна схема, підібрані елементи для створення схеми електричної принципової та конструкція пристрою захисту телефонної лінії від несанкціонованого доступу.

           В результаті синтезу обрана структура пристрою захисту телефонної лінії від несанкціонованого доступу побудована по блочно-модульному принципу і проведені розрахунки показали, що обрана схема задовольняє вимоги захисту. Електрична схема побудована на сучасній елементній базі з використанням новітніх технологій монтажу та досвіду виготовлення подібних пристроїв іноземних виробників.  
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

Список  літератури.

1. Практическое  пособие по учебн. конструир.  РЭА / Под. ред. К. Б.  Круковского,  Ю. Л. Мазора.- К.: Вища шк., 1992.-  494 с.

2. ГОСТ 7153-85 - Аппараты телефонные общего применения. Общие технические условия.

3. ГОСТ 12.2.007.0-75 Изделия электротехнические. Общие требования безопасности.

4. ГОСТ 12.1.006-84 Электромагнитные поля радиочастотные. Допустимые уровни на рабочих местах и требования к проведению контроля.

5. ГОСТ 15150-69. Машины, приборы и другие технические изделия. Исполнение для различных климатических районов. Категории, условия эксплуатации, хранения и транспортирования в части воздействия климатических факторов внешней среды.

6. ОСТ  45.82-96– Сеть телефонная городская  линии абонентские кабельные  с 

металлическими  жилами.

7. Проектирование радиопередающих устройств СВЧ: Учебное пособие для ВУЗов/ Уткин Г.М. и другие. - М.: Сов. радио,1979

8. Краткий справочник конструктора РЭА. Под ред. Р.Г. Варламова. М., «Сов. радио», 1973

9. Большая  энциклопедия промышленного шпионажа. Под ред. Е. В. Куренкова.  – СПб.: ООО «Издательство Полигон», 2000. – 896с. 


Информация о работе Технічні засоби захисту інформації