Полупроводники
Реферат, 03 Января 2012
Полупроводники – вещества, которые по своей удельной проводимости занимают промежуточное место между проводниками и диэлектриками и отличаются от проводников сильной зависимостью удельной проводимости от концентрации примесей, температуры и различных видов излучения. Полупроводниками являются вещества, ширина запрещённой зоны которых составляет 0-3 электрон-вольта, например, алмаз можно отнести к широкозонным полупроводникам, а InAs к узкозонным.
Свойства полупроводников
Контрольная работа, 06 Июня 2011
Полупроводниками называют вещества, обладающие электронной проводимостью, занимающей промежуточное положение между металлами и изоляторами.
Эффект Холла в полупроводниках
Отчет по практике, 26 Февраля 2013
Если через однородную металлическую или полупроводниковую пластинку пропускать ток слева направо, вдоль оси х, как это показано на фиг. 1, то эквипотенциальные линии будут представлять собой прямые линии, параллельные ребру пластинки, идущему вдоль оси z, и между симметрично расположенными точками С и D не будет существовать никакой разности потенциалов. Если затем пластинку поместить в
Определение энергии ионизации примеси и ширины запрещенной зоны полупроводника
Лабораторная работа, 22 Мая 2013
Цель работы: определение энергии ионизации примеси и ширины запрещенной зоны полупроводника с помощью определения температурной зависимости электропроводности.
Энергия ионизации примеси и ширина запре¬щенной зоны могут быть найдены из измерений электропроводности или постоянной Холла в за¬висимости от температуры, а также из спектраль-ного распределения коэффициента оптического поглощения или фототока полупроводника.
В настоящей работе эти величины опреде¬ляются из температурной зависимости электропроводности.
Аппроксимация зависимости ширины запрещенной зоны полупроводников от температуры
Курсовая работа, 15 Марта 2012
Целью данного курсового проекта является изучение методов приближенного вычисления и разработка учебно-демонстрационной программы аппроксимации зависимости ширины запрещенной зоны от температуры. Курсовой проект выполнен в среде Microsoft Visual Studio 2008.
Разработка проекта проходила в несколько стадий, заключавшихся в изучении предметной области задачи, изучении метода наименьших квадратов, разработке учебно-демонстрационной программы, включающей в себя возможности указания параметров полупроводника и порядка аппроксимации.