Ионная имплантация

Метод ионной имплантации состоит в бомбардировке пучками ускоренных ионов с энергиями от 10 кэВ до 1 МэВ твердых тел с целью изменения их свойств и структуры. Ускоренные ионы проникают в кристаллическую решетку, преодолевая отталкивающее противодействие положительных зарядов ядер атомов. Глубина проникновения ионов возрастает с увеличением их энергии.

Введение
1. Введение……………………………………………………………………..3
2.1. Сущность метода. Основные характеристики ионной имплантации……4
2.2. Влияние технологических факторов на распределение пробега имплантированных ионов…………………………………………………..……7
2.3. Радиационные дефекты ……………………………………………………..9
3. Вывод………………………………………………………………………..16
Список литературы………………………………………………