Определение энергии ионизации примеси и ширины запрещенной зоны полупроводника
Лабораторная работа, 22 Мая 2013, автор: пользователь скрыл имя
Описание
Цель работы: определение энергии ионизации примеси и ширины запрещенной зоны полупроводника с помощью определения температурной зависимости электропроводности.
Энергия ионизации примеси и ширина запре¬щенной зоны могут быть найдены из измерений электропроводности или постоянной Холла в за¬висимости от температуры, а также из спектраль-ного распределения коэффициента оптического поглощения или фототока полупроводника.
В настоящей работе эти величины опреде¬ляются из температурной зависимости электропроводности.
Работа состоит из 1 файл
2_Shirina_zapr_zony.doc
— 166.00 Кб (Скачать документ)
График зависимости сопротивления от температуры:
Теперь построим график зависимости Inσ(1/T) и с помощью тангенса угла наклона определим ширину запрещенной зоны.
tgα= 3.25/0,0009= 3611
ΔE=2κ tgα
ΔE =2*8.62*10-5*3611=0.62(эВ)