Разработка интегрального аналогового устройства

3. Термическое окисление

    Окисление кремния – один из самых характерных  процессов в технологии современных  ИМС. Получаемая при этом плёнка двуокиси кремния (SiО₂₎ выполняет несколько важных функций, в том числе:

- функцию защиты  – пассивации поверхности и,  в частности, защиты вертикальных участков р-п переходов, выходящих на поверхность;

    - функцию  маски, через окна которой вводятся необходимые примеси;

    - функцию  тонкого диэлектрика под затвором  МОП-транзистора.

       Такие широкие возможности двуокиси  кремния – одна из причин  того, что кремний стал основным  материалом для изготовления  ИМС 

4. Легирование

       Внедрение примесей в исходную пластину (или эпитаксиальный слой) путём диффузии при высокой температуре является исходным до сих пор основным способом легирования полупроводников  с целью создания диодных и транзисторных структур. Однако, за последние 10 лет широкое применение получил и другой способ легирования – ионная имплантация. 

5. Травление

    Травление – это химический способ изменения  рельефа поверхности твёрдого тела. 

6. Техника масок

    Маски обеспечивают локальный характер напыления, легирования, травления, а в некоторых случаях и эпитаксии. Всякая маска содержит совокупность заранее спроектированных отверстий – окон.  Изготовление таких масок есть задача литографии (графирование). 

7. Нанесение тонких плёнок

    Существует  три основных метода нанесения тонких плёнок на подложку и друг на друга:

-  термическое  (вакуумное) напыление;

-  ионное –плазменное напыление;

-  электрохимическое  осаждение. 

8. Металлизация

    Процесс металлизации призван обеспечить омические контакты со слоями полупроводника, а также рисунок межсоединений и контактных площадок. 

  9.  Сборочные  операции.

Заключение 

     В данной курсовой работе составлены структурная  и принципиальная схемы двухкаскадного усилителя с несимметричным входом и симметричным выходом. Первый каскад усилителя выполнен на полевом транзисторе типа 2П201Д-1, второй каскад – на биполярном транзисторе типа КТ207Б. При помощи расчетов определили и произвели выбор необходимых пассивных элементов схемы. Рассчитали амплитудно-частотную характеристику усилителя. Разработали топологию интегральной микросхемы. 
 
 
 

Список  литературы

1. Степаненко  И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1980
2. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Под ред. Н.Н. Горюнова. – М.: Энергия, 1976
3. Справочная книга радиолюбителя конструктора кн.2. – М.: Радио и связь. 1993
4. Малышева И.А. Технология производства интегральных микросхем. – М.: Радио и связь, 1991
5. Ефимов И.Е., Козырь И.Я. Основы микроэлектроники. – М.: Радио и связь, 1983