Автор работы: Пользователь скрыл имя, 07 Февраля 2013 в 19:32, реферат
Двухэлектродный полупроводниковый элемент - диод содержит n - и p -проводящий слои (рис. 1.1.1). В n-проводящем слое в качестве свободных носителей заряда преобладают электроны, а в p-проводящем слое - дырки. Существующий между этими слоями p-n переход имеет внутренний потенциальный барьер, препятствующий соединению свободных носителей заряда. Таким образом, диод блокирован.
При прямом приложении напряжений («+» к слою p, «--» к слою n) потенциальный барьер уменьшается, и диод начинает проводить ток (диод открыт). При обратном напряжении потенциальный барьер увеличивается (диод заперт). В обратном направлении протекает только небольшой ток утечки, обусловленный неосновными носителями.
Выпрямительные диоды
Выпрямительные диоды
Выпрямительные диоды
Выпрямительные диоды
Двухэлектродный полупроводниковый элемент - диод содержит n - и p -проводящий слои (рис. 1.1.1). В n-проводящем слое в качестве свободных носителей заряда преобладают электроны, а в p-проводящем слое - дырки. Существующий между этими слоями p-n переход имеет внутренний потенциальный барьер, препятствующий соединению свободных носителей заряда. Таким образом, диод блокирован.
При прямом приложении напряжений («+» к слою p, «--» к слою n) потенциальный барьер уменьшается, и диод начинает проводить ток (диод открыт). При обратном напряжении потенциальный барьер увеличивается (диод заперт). В обратном направлении протекает только небольшой ток утечки, обусловленный неосновными носителями.
Задание
Снять вольтамперную характеристику полупроводникового диода в прямом и обратном направлениях.
Порядок выполнения эксперимента
Рис.1.1.2
Таблица 1.1.1
UПР, В |
0 |
0,1 |
0,2 |
0,3 |
0,4 |
0,5 |
0,6 |
0,65 |
0,7 |
0,75 |
IПР, мА |
Таблица 1.1.2
UОБР, В |
0 |
2,5 |
5 |
10 |
15 |
20 |
25 |
30 |
IОБР, мкА |
Точные измерения обратного тока (IОБР) возможны только с помощью высокочувствительного мультиметра.
Рис.1.1.3
Вывод: