Передатчик связной МВ диапазона с ОМ

                                          

    Найдём  сопротивление Х_ВН :

                                        

    Найдём  сопротивление r_ВН:

                                                              

    Найдём  сопротивление Х₁:

                                      

    Найдём  сопротивление Х_L:

                                           

    Найдём ёмкость С₇:

                                       , что соответствует номиналу. 

    Найдём  ёмкость С₆:

                      ближайший по номиналу – 5.9 нФ. 

    Найдём  индуктивность L₃:

                                 

    Так как индуктивность L₃ получилось очень малым, увеличим его до приемлимого значения L₃^' , что эквивалентно включению добавочной индуктивности L_Д: 

                                   

    которую надо скомпенсировать последовательным включением с ней добавочным конденсатором  С_ДОБ:

                               ближайший по номиналу 1.5 пФ. 
 

                       РАСЧЁТ НОМИНАЛОВ ЭЛЕМЕНТОВ СХЕМЫ ГВВ 

    Сопротивление смещения в цепи базы транзистора  R₂:

                                                   

    Индуктивности блокировочных дросселей L₁, L₂:

                                     

                                     

    Величины  блокировочных С₃ и С₅ ёмкостей:

                                      ближайший по номиналу 332 нФ. 

                                     ближайший по номиналу 332 мкФ. 

    где R_П – выходное сопротивление источника питания порядка 0.1…2 Ом.

    Величины  разделительных С₂ и С₄ ёмкостей:

                                  ближайший по номиналу 3.32 мкФ 

                                  ближайший по номиналу 1 мкФ. 
 

                 РАСЧЁТ АВТОГЕНЕРАТОРА СИНТЕЗАТОРА ЧАСТОТ 

    При выборе синтезатора частот – возьмём  микросхему АК9601, которая используется в системах связи с цифровым синтезатором частот[6].

    Полагаем, что кварцевый резонатор автогенератора работает на третьей гармонике в диапазоне частот 20…30 МГц. Тогда параметры кварцевого резонатора (ГОСТ 6503-67) будут следующими:

1. r_k – 50 Ом
2. С₀ – 12 пФ
3. Q – 5 ×10⁴
4. Р_{доп рас} -  ≤ 2мВт.

                               Рис.3. Схема автогенератора синтезатора частот. 

    Для повышения стабильности автогенератора применяем недонапряжённый режим  работы с пониженными значениями токов и напряжений в рабочем  режиме:

                                    

                              

    Выбираем  тип транзистора с Р_МАХ  < 0.2 Вт и f_ГР >> 30 МГц – это транзистор типа КТ -918А, параметры которого приведены в таблице №4 : 

 

    Коэффициент разложения импульса коллекторного  тока γ₁ рекомендуется брать 0.1…0.3, что соответствует режиму отсечки около 60˚. Расчёт будем вести по осцилляторной схеме. Выберем Р_Н ≈ 0.1 мВт, полагая, что в синтезаторе имеется достаточное количество буферных усилителей.

    Найдём  мощность рассеиваемую на кварце:

                                              

    Найдем  мощность отдаваемую транзистором:

                                          

    Определим аппроксимированные параметры транзистора:

    Крутизна  перехода:

                               

    Внутреннее  сопротивление:

                                              

    Крутизна  транзистора:

                                    

    Частота кварца:

                                    

    Определим нормированную частоту колебаний:

                                    

    где f_H – номинальная частота колебаний автогенератора.

    Параметры колебательной системы:

    Постоянная  времени:

               

    Крутизна:

                         

           

    Далее найдём С₂:

                                   ближайший по номиналу 0.332 нФ. 

    Найдём  Х₁:

                                 

    Найдём  Х₂:

                              

    Из  условия: выберем коэффициент ,который возьмём равным 8. Тогда ёмкость С₃ будет равна:

                                  ближайший по номиналу 1.5 мкФ. 

    Найдём  индуктивность L₁:

                      

    Определим поправку к частоте колебаний  ν:  

      

    Относительная разность между частотами:

                                     

    Определим режимные параметры активного элемента:

    Ток коллектора:

                                    

    Начальный ток коллектора:

                                     

    Крутизна  на номинальной частоте:

                             

    Напряжение  базы:

                                     

    Угол  опережения:

                

    Напряжение  коллектора:

                                        

    Начальная мощность транзистора:

                                            

    Начальный ток базы:

                                     

    Начальное напряжение базы:

    

    Зададимся величиной R₄:

                                           

    Теперь  определим значение R₃:

      ближайший по номиналу – 300 Ом. 

    Напряжение  питания:

           

      

    Ток через делитель:

                                

    Найдём  сопротивление R₁:

                    

                 ближайший по номиналу – 22 кОм. 

    Найдём  сопротивление R₂:

                       

                 ближайший по номиналу – 4.7 кОм. 

    Найдём  сопротивление Х_L:

                              

    Найдём  ёмкость С₄:

                          ближайший по номиналу 5.9 мкФ. 

    Найдём  ёмкость С₁:

                                  ближайший по номиналу 150 мкФ. 

    Найдём  ёмкость С₅:

                           ближайший по номиналу 150 мкФ. 
 

                   РАСЧЁТ СХЕМЫ БАЛАНСНОГО МОДУЛЯТОРА 

    Принципиальная  схема балансного модулятора, используемого в схеме формирования однополосного сигнала, приведена на рисунке 4. Это схема кольцевого балансного модулятора.

    

                                Рис.4.Схема кольцевого балансного  модулятора. 

    Выберем тип диодов модулятора, исходя из максимальной частоты подаваемой от гетеродина – это диод типа 2Д419Б, параметры которого приведены в таблице №5. 

 

    По  линеаризированной характеристике на рисунке №5 диода найдём:

                                

    

                                Рис.5. Вольтамперная характеристика диода 2Д419Б. 

    Найдём  максимальное входное напряжение на диоде:

                                          

    Тогда: