Основы схемотехники

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 22 Апреля 2013 в 11:28, курсовая работа

Описание

Произвести расчёт импульсного усилителя со следующими характеристиками:
параметры усиливаемых импульсов на выходе усилителя:
- амплитуда UВХ=10 мВ, длительность = 50 мкс, амплитуда импульса на выходе усилителя UВЫХ=7 В;
- полярность выходных импульсов – положительная;
- Входное сопротивление усилителя 500 Ом
- сопротивление нагрузки RН=1.5 кОм;
- ёмкость нагрузки СН=9 пФ;
- допустимые искажения: время установления фронта импульса
=50 нс, допустимый выброс вершины =1.2%,
допустимый спад =2.5%;
- изменение температуры окружающей среды t= 10-40С

Содержание

Введение
Задание
1 Расчет усилителя низкой частоты
1.1 Нахождение коэффициента усиления УНЧ
1.2 Выбор и обоснование транзистора
1.3 Расчет схемы усилителя низкой частоты
1.3.1 Расчет 2-го усилительного каскада
1.3.2 Расчет 1-го усилительного каскада
1.4 Обзор резисторов усилителя
1.5 Определение значений разделительных и термостабилизирующих конденсаторов усилителя
1.6 Проверка введения целесообразности L-коррекции
2. Соответствующий аналог в интегральном исполнении
2.1 Схема аналога
2.2 Описание аналога
2.3 Основные параметры микросхемы
3. Расчет фильтров
3.1 Фильтр нижних частот.
3.2 Фильтр верхних частот.
3.3 Полосовой фильтр.
Заключение
Библиографический список
Приложения

Работа состоит из  1 файл

КР основы схемотехники.doc

— 1.18 Мб (Скачать документ)
Определяем индуктивность корректирующей катушки

                              (20)

 

 

 

 

 


 

  1. Соответствующий аналог в интегральном исполнении

2.1. Схема аналога

 

Соответствующий аналог основан на микросхеме К175УД1, принципиальная схема которого приведена в на рисунке 3:

Рис 5.

2.2 Описание аналога

 

Это двухканальный ОУ универсального назначения средней  мощности, с максимальным выходным током 500мА, разработанный для аппаратуры магнитной записи и воспроизведения звука. В данном усилителе мощности предусмотрена защита от короткого замыкания на выходе, как при положительной, так и при отрицательной полярности выходного сигнала ЦМС можно использовать в самых разнообразных устройствах низкочастотной стереофонической аппаратуры

 

Приведем основные параметры  микросхемы

 

ток потребления  ,мА

не более 7

коэффициент усиления по напряжению Ку при  200 Ом на f=30кГц

200

max выходное напряжение не менее

В

входной ток не более 

500мА

температура дрейф.

не более  мкВ/С

напряжение питания  при 

рассеиваемая мощность, Вт при 

не более 0.5 при 


 

 


 

  1. Расчет фильтров.

 

    1. Фильтр нижних частот

 

ФНЧ с равными компонентами R1=R2, C1=C2. Характеристика Чебышева.

 

- коэффициент затухания  α=1,059 Дб;

- порядок фильтра n=2;

- неравномерность ε=1Дб;

- частота среза fср=1 МГц;

Для ПФ

- нижняя частота F1=3,0МГц;

- верхняя частота F2=4,0 МГц

- коэффициент усиления  К=10.

 

Для заданной характеристики

Выберем величину С с учетом использования операционного  усилителя µА791: С=0,3 нФ = С1 = С2. Найдем R=R1=R2:

, следовательно

Используем  номинал 110 Ом.

Положим Rа=10кОм и найдем Rв:

RB=(2- )RA=(2-1,059)104=9410 Ом

Используем номинал 9410 Ом.

Коэффициент усиления в  полосе пропускания найдем по:

 K= +1= +1=1,941

Схема фильтра нижних частот представлена в приложении

 

 

 

 


    1. Фильтр верхних частот

Фильтр имеет те же параметры и те же характеристики что и ФНЧ.

Выберем величину С с учетом использования операционного усилителя µА791: С=0,2 нФ = С1 = С2. Найдем R=R1=R2:

, следовательно 

Используем  номинал 160 Ом.

Положим Rа=10кОм и найдем Rв:

RB=(2- )RA=(2-1,059)104=9410 Ом

Используем номинал 9410 Ом.

Коэффициент усиления в  полосе пропускания найдем по:

 K= +1= +1=1,941

Схема фильтра верхних  частот представлена в приложении

    1. Полосовой фильтр

Для расчёта компонентов  полосового фильтра рассмотрим ПФ с  параллельной обратной связью.

Найдем fo:   f0= =0,14 Гц                                      

                                   Q=f0/(f2-f1)= 0,14 /(0,2 - 0,1   ) = 1,4

Выберем величину С с учетом использования операционного  усилителя µА791: С=0,1 нФ = С1 = С2 и рассчитаем R1, R2, R3  

R1= =                          

R2= = =

     R3=

Используем номиналы R1= 1800 Ом, R2= 1500 Ом, R3= 32000 Ом

Коэффициент усиления в  полосе пропускания:

                                                  К= =

Полученное значение K совпадает с заданным.

Схема полосового фильтра представлена в приложении


Заключение

В ходе выполнения работы мы приобрели навыки расчёта импульсных усилителей, используя материал, изученный  на лекциях.

Рассчитанный усилитель  отвечает всем поставленным параметрам: коэффициент усиления k= 700, время установления =50 нс . Спад плоской вершины импульса может быть уменьшен введением фильтрующей ячейки в цепь коллектора входного каскада. Так как коэффициент усиления равен 700, то мы использовали 2 каскада. Коэффициент усиления спроектированного двухкаскадного усилителя может быть увеличен или время установления фронта импульса соответственно снижению, если в предварительный каскад ввести коррекцию. В качестве транзисторов использовали транзисторы типа КТ312А.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

 

  1. Атаев Д.И., Болотнико В.А.,Аналоговые и интегральные микросхемы для бытовой радиоапаратуры-М.:Радио и связь,.
  2. Варшавер Б.А., Расчёт импульсных усилителей.-М.: Высшая школа, 1967.
  3. Резисторы и конденсаторы: Справочник / И.И. Четвертков, М.Н. Дьяконов, В.И. Трисляков и др.: Под редакцией И.И. Четверткова - М.: Радио и связь,
  4. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник/[К.М. Брежнева, Е.И.Гантман , Т.И. Давыдова и др.]; под редакцией Б.Л. Перельмана.-М.: Радио и связь,
  5. Резисторы: Справочник / Ю.Н. Андреев, А.И. Антонян, Д.И. Иванов и др.; под редакцией И.И. Четверткова.-М.: Энергоиздательсво.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Приложения

 

 

 

 

 

 

 


                                                             Рис 6

Вольт-амперные характеристики транзистора КТ312А

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 


 

Рис 7

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Зона

Поз.

обозн.

Наименование

Кол.

Примечание

         
   

Конденсаторы  ОЖО.460.107ТУ

   
         
 

С1,С2,С5

К53-14-96пФ 20%

3

 
 

С3,С4

К53-14-15мкФ 20%

2

 
         
   

Резисторы ГОСТ 10318-74

   
         
 

R1

МЛТ-0,25-250Ом 10%

1

 
 

R2

МЛТ-0,25-10кОм 10%

1

 
 

R3

МЛТ-0,25-5,1кОм 10%

1

 
 

R4

МЛТ-0,25-250Ом 10%

1

 
 

R5

МЛТ-0,25-91кОм 10%

1

 
 

R6

МЛТ-0,25-10кОм 10%

1

 
 

R7

МЛТ-0,25-5,1кОм 10%

1

 
 

R8

МЛТ-0,25-250Ом 10%

1

 
         
   

Транзисторы

   
         
 

VT1

КТ312А

1

 
 

VT2

КТ312А

1

 
         
   

Катушки индуктивности

   
         
 

L1

Индуктивность 8 мкГн 5%

1

 
         
         
         
         

КНФУ. 657310.014 ПЭ3

         

Изм.

Лист

№ документа

Подпись

Дата

Разраб.

Тимофеев  Е.В.

   

Усилитель импульсной

частоты

Перечень  элементов

Лит.

Лист

Листов

Пров.

Бастракова.

         

21

23

       

МарГТУ  ТКБ-31

Н. контр.

     

Утв.

     

 



 

 


                                     

 

Схема ФНЧ

 

                                    

                                       

Схема ФВЧ

 

 

Схема ПФ

 

 

 

 

 

 

 

 


Зона

Поз.

обозн.

Наименование

Кол.

Примечание

         
   

Операционные  усилители

   
         
   

μА791

3

 
         
   

Конденсаторы  ОЖО.460.107ТУ

   
         
 

С1

К53-16-0,3нФ 20%

1

 
 

С2

К53-16-0,3нФ 20%

1

 
 

С3

К53-16-0,3нФ 20%

1

 
 

С4

К53-16-0,3нФ 20%

1

 
 

С5

К53-16-0,3нФ 20%

1

 
 

С6

К53-16-0,3нФ 20%

1

 
         
   

Резисторы ГОСТ 10318-74

   
         
 

R1

МЛТ-0,25-110Ом 10%

1

 
 

R2

МЛТ-0,25-110Ом 10%

1

 
 

R3

МЛТ-0,25-10кОм 10%

1

 
 

R4

МЛТ-0,25-5,6к0Ом 10%

1

 
 

R5

МЛТ-0,25-160Ом 10%

1

 
 

R6

МЛТ-0,25-160Ом 10%

1

 
 

R7

МЛТ-0,25-10кОм 10%

1

 
 

      R8

МЛТ-0,25-5,6кОм 10%

1

 
 

R9

МЛТ-0,25-1,8кОм 10%

1

 
 

R10

МЛТ-0,25-1,5кОм 10%

1

 
 

R11

МЛТ-0,25-32кОм 10%

1

 
         
         

КНФУ. 657310.014 ПЭ3

         

Изм.

Лист

№ документа

Подпись

Дата

Разраб.

Тимофеев  Е.В.

   

Фильтры

Перечень  элементов

Приложение 2

Лит.

Лист

Листов

Пров.

Бастракова.

         

23

23

       

МарГТУ  ТКБ-31

Н. контр.

     

Утв.

     

 



Информация о работе Основы схемотехники