Флэш-память

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 09 Января 2012 в 16:09, реферат

Описание

Цель и задачи данной реферативной работы сходятся в том, чтобы изучить историю возникновения флеш- памяти, понять принцип действия и исследовать каково ее применение.
Таким образом реферат состоит из трех глав. В первой главе приведена история появления флеш- накопителей. Во второй главе изучен принцип действия. А в третьей главе указаны принципы применения флеш-памяти.

Содержание

Введение
Глава 1. История возникновения флэш- памяти
Глава 2. Принцип действия флэш- памяти
Глава 3. Особенности применения
Заключение
Список литературы

Работа состоит из  1 файл

флэш-память.docx

— 86.15 Кб (Скачать документ)

     В 2010 году Intel и Micron сообщили об успешном совместном освоении выпуска 3-битной (TLC) флеш-памяти типа NAND с использованием норм 25-нм техпроцесса .

     В апреле 2011 года Intel и Micron объявили о  разработке MLC NAND флэш-чипа емкостью 8 Гбайт (64 Гбит), произведенного по технологии 20 нм. Первый 20-нм NAND чип имеет площадь 118 мм2, что на 30-40 % меньше, чем у  доступных в настоящее время 25-нм чипов на 8 Гбайт. Согласно данным от разработчиков, новинка обеспечивает такую же производительность и надежность, как и предыдущее 25-нм поколение, повысив плотность размещения. Массовое производство данного чипа начнется во второй половине 2011 года. Конечных продуктов  на базе новых 20-нм флэш-чипов не стоит ожидать до 2012 года.

     27 августа 2011 компания Transcend совместно  с институтом ITRI представили USB-накопитель  с флеш-памятью ёмкостью 2 Тб и  подключением по стандарту USB 3.0.

     На  конец 2008 года, лидерами по производству флеш-памяти являются Samsung (31 % рынка) и Toshiba (19 % рынка, включая совместные заводы с Sandisk.

 

     Заключение

     Таким образом, исследования данной реферативной работы дали понять, что флэш-память является разновидностью полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Это же слово используется в электронной схемотехнике для обозначения технологически законченных решений постоянных запоминающих устройств в виде микросхем на базе этой полупроводниковой технологии. В быту это словосочетание закрепилось за широким классом твердотельных устройств хранения информации.

     Благодаря компактности, дешевизне, механической прочности, большому объему, скорости работы и низкому энергопотреблению  флеш-память широко используется в  цифровых портативных устройствах  и носителях информации.

 

Список литературы:

  1. Сайт3Dnewswww.3dnews.ru/news/toshiba_vipustila_pervii_v_mire_64_gb_elink4
  2. Новостной портал сферы высоких технологий -www.electronista.com/articles/10/06/16/toshiba.128gb.link4
  3. www/Wikipedia.ru

Информация о работе Флэш-память